场效应(场效应：从晶体管到CMOS技术的进化过程)

场效应是一种基本的电子器件，是晶体管和集成电路技术的基础。上个世纪60年代，随着MOS (金属-氧化物-半导体)技术的出现，场效应晶体管逐渐取代了双极型晶体管成为了主流器件。这种新型器件的出现，完全改变了半导体器件的发展方向。

MOS技术沿袭了场效应晶体管的结构，它使用金属/聚酰亚胺/半导体的结构，因此被称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (MOSFET)。MOSFET的优点在于功耗低、速度快、可靠稳定等，使它在数字电路中应用广泛。

随着集成电路技术的发展，尤其是CMOS (互补金属-氧化物-半导体)技术的出现，晶体管又得到了革命性的进步。CMOS技术是一种适用于数字电路和模拟电路的集成电路技术，它通过在同一晶片上加工N型和P型晶体管，使其形成高度集成的电路，进一步降低了功耗、提高了速度和可靠性，从而成为计算机芯片制造的最主流技术之一。